● 產品概述：
分子束外延（MBE）法是生產砷化鎵外延片方法之一，該法可制出多元、多層、同質、異質、超晶格和量子阱等結構的外延材料。晶體純度高，化學穩定性好。
●主要特點：
1. 可制作大規格坩堝（最大直徑為12inch，最大高度為17inch）；
2. 密度高（最高可達2.19 g/cm3）；
3. 純度高（>99.99%）；
4.不易開裂（優異的熱膨脹系數）。
●主要參數：
性能 | 單位 | 數值 | |
密度 | g/cm3 | 2.0-2.19 | |
體積電阻系數 | Ω·cm | 3.11×1011 | |
抗張強度 (力|| “C”) | N/mm2 | 153.86 | |
抗彎強度 | (力|| “C”) | N/mm2 | 243.63 |
(力⊥“C”) | N/mm2 | 197.76 | |
顯微硬度 | - | N/mm2 | 691.88 |
熱傳導率 | - | - | “a”方向 “c”方向 |
(200℃) | W/m·k | 60 2.60 | |
(900℃) | W/m·k | 43.70 2.80 | |
介電強度(室溫) | KV/mm | 56 | |
●產品的應用：
主要用于MBE法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
●聯系方式：
0534-2129266
* 國晶官網鏈接：
首頁 